Yoschis Blog

HyperRAM™ 2.0 MEMORY sorgt für sofortige Funktion

Touchbedienung, Spracherkennung, Bildverarbeitung in IoT-Geräten für Automotive, Industrie und Smart Home.

Dank weniger Pins einfach auf die Platine zu integrieren, sorgt HyperRAM für eine niedrige Leistungsaufnahme und einfache Ansteuerung der Peripherie. Er harmoniert mit den höheren Leistungen und dem geringeren Stromverbrauch moderner MCUs. Gerade die Leistung und Effizienz mobiler Endgeräte wird so wesentlich verbessert.

Als Pionier dieser Technologie erweitert CYPRESS (Vertrieb: GLYN) sein Hyper-Bus Memory Portfolio. Mit HyperRAM™ 2.0 etabliert der Hersteller einen dynamischen Hochgeschwindigkeits-RAM (DRAM) mit geringer Pin-Anzahl und Self-Refresh mit einer Kapazität von bis zu 128 Mbit.

Dieser Speicher eignet sich ideal als Erweiterungsspeicher für Embedded Systeme. HyperRAM™ 2.0 bietet HyperBus- und jetzt neu eine Octal-SPI-Schnittstelle. Hier können Entwickler schnell und kostengünstig ihr Design und System optimieren.

Der CYPRESS HyperRAM™-Speicher ist ein Self-Refresh DRAM. Die 24-Pin-, HyperBus-Schnittstelle arbeitet mit Double Data Rate (DDR) und kann einen Durchsatz von bis zu 400 MByte/s skalieren. Damit ist er der ideale Erweiterungsspeicher für Controller mit begrenztem
on-Board RAM.

Sofortige Funktion

Bei Verwendung als „Notizblock-Speicher“ werden, dank der schnellen Lese- und Schreibvorgänge, hochauflösende Grafiken zu Beginn des Systemstartprozesses sofort bereitgestellt. Zudem ist im Ruhemodus der Stromverbrauch deutlich reduziert.

Einsatzgebiete

HyperRAM™ 2.0 Memory ist der ideale Speicher für Kfz-Kombiinstrumente, industrielle HMI, IoT-Anwendungen sowie industrielle Bildverarbeitungs- und Anzeigesysteme für die Unterhaltungselektronik.

Technische Daten:

Weitere Informationen zu CYPRESS HyperRAM™  sind bei Distributor GLYN auf Anfrage erhältlich.
Originalmeldung von pressebox.de

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